UH110-UFM3
Module
UH110-UFM3
- 支援LDPC ECC糾錯與校正機制
- 快閃記憶體壞區管理
- 全區平均抹寫技術 (Global Wear Leveling)
- 快閃記憶體轉換層: Page Mapping
- S.M.A.R.T. 功能
- Smart Read Refresh™ 技術
- SLC-liteX 技術
工業級USB模組:UH110-UFM3 |
Apacer宇瞻科技UH110-UFM3 是高效能嵌入式快閃記憶體模組,為取代傳統IDE硬碟而設計。作為嵌入式快閃儲存裝置,UH110-UFM3 相容於USB 2.0規格,並可向下相容USB 1.1規格。UH110-UFM3 採用3D NAND快閃記憶體,最大支援容量高達64GB,具備優於2D NAND的省電效率,可應用在桌上型、可攜式電腦系統和工業電腦系統中常見的標準嵌入式USB接頭。
在可靠度方面,UH110-UFM3 採用先進LDPC (Low Density Parity Check) ECC引擎與SLC-liteX 技術,可有效提升SSD耐用度與資料可靠度,提供高達30,000 次的寫入/抹除次數(P/E cycles)。
此外,UH110-UFM3 採用最新的Page Mapping 快閃記憶體管理技術,並具有各種實作功能,包括省電模式、平均抹寫技術(Wear Leveling)、快閃記憶體壞區管理、斷電管理、S.M.A.R.T.與Smart Read Refresh™技術。
UH110-UFM3 非常適合於嵌入式快閃儲存應用,提供全新且擴充的功能,以及更具成本效益的設計、更好的效能和增強的可靠度。
規格表
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ModelUH110-UFM3
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InterfaceUSB 2.0
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Connector10-pin USB (2 x 5 header)
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Form FactorUSB Disk Module
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NAND Flash Type3D TLC
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Capacity32GB~64GB
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Sequential Read Performance (MB/sec)Up to 37
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Sequential Write Performance (MB/sec)Up to 32
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ECC EngineLow-Density Parity-Check (LDPC) Code
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IOPS (4K Random Write)400
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Standard Operating Temperature (°C )0 ~ + 70
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Extended Operating Temperature(°C )-40 ~ + 85
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Storage Temperature(°C )-55 ~ + 100
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HousingNo
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H/W Write ProtectOptional
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Screw HoleYes
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ShockOperation: 50G/11ms
(compliant with MIL-STD-202G)
Non-operation: 1500G/0.5ms
(compliant with MIL-STD-883K) -
VibrationOperation:7.69 Grms, 20~2000 Hz/random
(compliant with MIL-STD-810G)
Non-operation:4.02 Grms, 15~2000 Hz/random
(compliant with MIL-STD-810G) -
Operating Voltage5.0 V ± 5%
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Power ConsumptionActive mode: 95 mA; Idle mode: 75 mA
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Dimension (L x W x H )32.50 x 24.00 x 5.00 mm
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MTBF (hours)>3,000,000