PV230-M280 (M Key)
M.2
PV230-M280 (M Key)
- 支援LDPC ECC糾錯與校正機制
- 全區平均抹寫技術 (Global Wear Leveling)
- 快閃記憶體壞區管理
- 端對端資料保護(End-to-End Data Protection)
- 快閃記憶體轉換層: Page Mapping
- DataDefender™
- 支援TRIM指示
- Hyper Cache 快取技術
- Over-provisioning
- DataRAID
- SMART Read Refresh
- NVMe安全抹除
探索 PV230-M280 – 穩定效能,更低功耗,隨時待命
您的產業應用有穩定效能與低功耗需求嗎?宇瞻PV230-M280將是理想儲存方案。這款SSD完全符合PCIe Gen3 x4 和 NVMe 1.4 標準,在優化固態硬碟能耗的同時,也確保快速的資料處理。
其 M.2 2280 規格提供高產品靈活性,為具空間限制與有高可靠性需求的嵌入式系統或工業設備的理想儲存解決方案。憑藉SSD自身的高穩定性與可靠讀寫速度,PV230-M280 支援各種注重功耗與效能的產業應用,幫助系統保持低溫、高效且隨時待命。
宇瞻儲存解決方案帶來卓越效能:
- 提升電源效率:利用 3D NAND 技術與電源管理提供更好的電源效率。
- 高資料傳輸效能:內建ECC糾錯與校正機制,提供卓越資料傳輸效率。
- 提升穩定性:Sidefill技術使固態硬碟在高振動和極端溫度波動環境中能穩定運行。
- 提升安全性:配備進階加密標準 (AES)與TCG Opal 2.0(選用),防止未經授權的存取。
配備先進的技術支援:
- 先進LDPC ECC引擎:提升固態硬碟耐用性和資料可靠性。
- 全區平均抹寫技術:確保低抹除次數,以延長固態硬碟使用壽命。
- 快閃記憶體壞區管理:偵測快閃記憶體中故障區塊,並預留備用區塊,提高產品耐用度。
- 端對端資料保護:透過全面安全措施保護敏感資料。
- 支援其他技術:快閃記憶體轉換層Page Mapping、DataDefender、支援TRIM指令、Hyper Cache快取技術、Over-provisioning、DataRAID、SMART Read Refresh、NVMe安全抹除和省電模式。
PV230-M280 具更高穩定性與效率,並增強資料保護力,為強固型應用、伺服器和網通、工廠自動化和運輸等各種應用提供理想儲存解決方案。
規格表
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ModelPV230-M280
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InterfacePCIe Gen3 x4
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ConnectorSingle-sided M.2 2280-M
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Form FactorM.2 2280
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NAND Flash Type3D TLC
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Capacity120GB-1920GB
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External DRAMNo
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Sequential Read Performance (MB/sec)Up to 3,560
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Sequential Write Performance (MB/sec)Up to 2,705
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ECC EngineLow-Density Parity-Check (LDPC) Code
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IOPS (4K Random Write)325K
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Standard Operating Temperature (°C )0 ~ 70
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Extended Operating Temperature(°C )-40 ~ 85
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Storage Temperature(°C )-55 ~ 100
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HousingNo
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Thermal SensorYes
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ShockOperation: Acceleration, 50(G)/11(ms)/half sine (Compliant with MIL-STD-202G)
Non-operation: Acceleration, 1500(G)/0.5(ms)/half sine (Compliant with MIL-STD-883K) -
VibrationOperation:7.69 GRMS, 20~2000 Hz/random (Compliant with MIL-STD-810G)
Non-operation:4.02 GRMS, 15~2000 Hz/random (Compliant with MIL-STD-810G) -
Operating Voltage3.3V ±5%
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Power ConsumptionActive Mode: 1,840 mA / Idle Mode: 200mA
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Dimension (L x W x H )22.00 x 80.00 x 2.58 (max.)
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MTBF (hours)>3,000,000