PV250-M280
PV250-M280
- 支援LDPC ECC纠错与校正机制
- 全区平均抹写技术 (Global Wear Leveling)
- 闪存坏区管理
- 闪存转换层: Page Mapping
- DataDefender™
- 支持 S.M.A.R.T.功能
- 支持TRIM指令
- Hyper Cache缓存技术
- Over-provisioning
- SMART Read Refresh™技术
- 端对端数据保护技术 (End-to-end Data Protection)
- NVMe安全抹除
Apacer 宇瞻科技的PV250-M280 为速度最快的M.2 2280 工规SSD之一,其采用高效能PCIe Gen4 x4 接口,符合新一代NVMe 2.0规范,得以独特的电源管理模式运作,进而有效大幅降低耗能。
搭载强大的PCIe控制器,支持on-the-module ECC 纠错技术与高效的平均抹写技术(Wear Leveling),PV250-M280 具备优异的数据传输效能,每秒读写次数与连续读写速度高达385,000/620,000 IOPS 与3,675/3,215 MB/秒。其极致高速的设计,为追求卓越效能的多元应用系统的理想选择。
PV250-M280 采用3D NAND闪存,最大支持容量高达960GB,具备优于2D NAND的省电效率。此PCIe SSD 不仅采用先进LDPC (Low Density Parity Check) ECC引擎,有效提升SSD耐用度与数据可靠度;更内建温度传感器,通过 S.M.A.R.T. 指令监控SSD设备的温度,并搭配温控调频技术(Thermal Throttling Technology),于过热情形发生时,仍可维持SSD于安全温度范围内运作,进而确保数据可靠度并提供稳定的效能表现。PV250-M280搭配Sidefill技术,可在高度振动或极端环境下维维正常的运作。此外,针对高度密集存取的数据应用,Apacer 端对端数据保护技术(End-to-End Data Protection)亦保障了数据多点传输间的完整性与可靠度。
于数据防护层面,除了通过进阶加密标准AES保障数据安全,避免重要数据未经授权使用,PV250-M280更采用最新的Page Mapping 闪存管理技术,并具有各种实用功能,包括省电模式、闪存坏区管理、S.M.A.R.T.、DataDefender™、TRIM、Hyper Cache缓存技术与SMART Read Refresh™技术。兼具了高效能、高可靠度与价格合理等优势,PV250-M280 无疑为工控、影像、运算等多元快闪储存应用的最佳选择之一。
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型号PV250-M280
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介面PCIe Gen4 x4
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接口Double-side: M.2 2280-D5-M key
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板型M.2 2280
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NAND 颗粒3D TLC
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容量240GB~3840GB
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外置DRAMNo
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读取速度(MB/sec)Up to 3,675
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写入速度(MB/sec)Up to 3,215
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ECC纠错功能Low-Density Parity-Check (LDPC) Code
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IOPS (4K 随机写入)600K
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标准作业温度(°C)240GB~3840GB: 0 ~ + 70
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最高作业温度(°C)240GB~1920GB -40 ~ +85
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放置温度(°C)-55 ~ +100
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外壳No
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温度感测功能Yes
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冲击耐力Operating: Acceleration, 50(G)/11(ms)/half sine
(compliant with MIL-STD-202G)
Non-operating: Acceleration, 1500(G)/0.5(ms)/half sine
(compliant with MIL-STD-883K) -
震动耐力Operation:7.69 Grms, 20~2000 Hz/random
(compliant with MIL-STD-810G)
Non-operation:4.02 Grms, 15~2000 Hz/random
(compliant with MIL-STD-810G) -
电压3.3V ± 5%
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用电量Active mode: 1595 mA / Idle mode: 230mA
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尺寸 (L x W x H )22.00 x 80.00 x 4.08 mm (max.)
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MTBF (小时)>3,000,000