UV110-UFM3 with Housing
模块
UV110-UFM3 with Housing
- 采用先进LDPC ECC引擎结合3D NAND SLC-liteX 技术,提升可靠度
- 全区平均抹写技术 (Global Wear Leveling)
- 闪存坏区管理
- 闪存转换层: Page Mapping
- S.M.A.R.T.功能
- Hyper Cache快取技术
- 支持SMART Read Refresh™ 技术
- 写入保护技术 (選用)
工业级USB模组:UV110-UFM3 (with Housing) |
Apacer宇瞻科技 UV110-UFM3 是高效能嵌入式闪存模块,为取代传统IDE硬盘而设计。作为嵌入式快闪储存设备,UV110-UFM3 兼容于USB 2.0规格,并可向下兼容USB 1.1规格。UV110-UFM3 采用3D NAND闪存,最大支持容量高达256GB,具备优于2D NAND的省电效率,可应用在桌上型、便携计算机系统和工业计算机系统中常见的标准嵌入式USB接头。
在可靠度方面,UV110-UFM3 采用先进LDPC (Low Density Parity Check) ECC引擎可有效提升数据可靠度。
此外,UV110-UFM3 采用最新的Page Mapping 闪存管理技术,并具有各种实用功能,包括省电模式、平均抹写技术(Wear Leveling)、闪存坏区管理、断电管理、S.M.A.R.T.与Smart Read Refresh™技术。
UV110-UFM3 非常适合于嵌入式快闪储存应用,提供全新且扩充的功能,以及更具成本效益的设计、更好的效能和增强的可靠度。
规格表
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型号UV110-UFM3 with Housing
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介面USB 2.0
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接口10-pin USB (2 x 5 header)
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板型USB Disk Module
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NAND 颗粒3D TLC
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容量128GB~256GB
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外置DRAMNo
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读取速度(MB/sec)Up to 37
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写入速度(MB/sec)Up to 31
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ECC纠错功能Low-Density Parity-Check (LDPC) Code
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IOPS (4K 随机写入)400
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标准作业温度(°C)0 ~ + 70
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最高作业温度(°C)-40 ~ + 85
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放置温度(°C)-55 ~ + 100
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外壳Yes
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硬件写保护Optional
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螺丝孔No
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冲击耐力Operating: Acceleration, 50(G)/11(ms)/half sine
(compliant with MIL-STD-202G)
Non-operating: Acceleration, 1500(G)/0.5(ms)/half sine
(compliant with MIL-STD-883K) -
震动耐力Operation: 7.69 Grms, 20~2000 Hz/random
(compliant with MIL-STD-810G)
Non-operation: 4.02 Grms, 15~2000 Hz/random
(compliant with MIL-STD-810G) -
电压5.0 V ± 5%
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用电量Active mode: 100 mA; Idle mode: 75 mA
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尺寸 (L x W x H )35.70 x 28.10 x 7.20 mm
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MTBF (小时)>3,000,000