模块

UH110-UFM2

模块

UH110-UFM2

  • 支持LDPC ECC纠错与校正机制
  • 闪存坏区管理
  • 全区平均抹写技术 (Global Wear Leveling)
  • 闪存转换层: Page Mapping
  • S.M.A.R.T. 功能
  • Smart Read Refresh™ 技术
  • SLC-liteX 技术

工业级USB模块:UH110-UFM2

Apacer宇瞻科技 UH110-UFM2 是高效能嵌入式闪存模块,为取代传统IDE硬盘而设计。作为嵌入式闪存储存设备,UH110-UFM2 兼容于USB 2.0规格,并可向下兼容USB 1.1规格。UH110-UFM2 采用3D NAND闪存,最大支持容量高达64GB,具备优于2D NAND的省电效率,可应用在桌面式、便携计算机系统和工业计算机系统中常见的标准嵌入式USB接头。

在可靠度方面,UH110-UFM2 采用先进LDPC (Low Density Parity Check) ECC引擎与SLC-liteX 技术,可有效提升SSD耐用度与数据可靠度,提供高达30,000 次的写入/抹除次数(P/E cycles)。

此外,UH110-UFM2 采用最新的Page Mapping 闪存管理技术,并具有各种实用功能,包括省电模式、平均抹写技术(Wear Leveling)、闪存坏区管理、断电管理、S.M.A.R.T.与Smart Read Refresh™技术。

UH110-UFM2 非常适合于嵌入式闪存储存应用,提供全新且扩充的功能,以及更具成本效益的设计、更好的效能和增强的可靠度。

规格表
  • 型号
    UH110-UFM2
  • 介面
    USB 2.0
  • 接口
    10-pin USB (2 x 5 header)
  • 板型
    USB Disk Module
  • NAND 颗粒
    3D TLC
  • 容量
    32GB~64GB
  • 读取速度(MB/sec)
    Up to 37
  • 写入速度(MB/sec)
    Up to 32
  • ECC纠错功能
    Low-Density Parity-Check (LDPC) Code
  • IOPS (4K 随机写入)
    400
  • 标准作业温度(°C)
    0 ~ + 70
  • 最高作业温度(°C)
    -40 ~ + 85
  • 放置温度(°C)
    -55 ~ + 100
  • 外壳
    No
  • 硬件写保护
    Optional
  • 螺丝孔
    Yes
  • 冲击耐力
    Operation: 50G/11ms
    (compliant with MIL-STD-202G)
    Non-operation: 1500G/0.5ms
    (compliant with MIL-STD-883K)
  • 震动耐力
    Operation:7.69 Grms, 20~2000 Hz/random
    (compliant with MIL-STD-810G)
    Non-operation:4.02 Grms, 15~2000 Hz/random
    (compliant with MIL-STD-810G)
  • 电压
    5.0 V ± 5%
  • 用电量
    Active mode: 95 mA; Idle mode: 75 mA
  • 尺寸 (L x W x H )
    37.80 x 26.65 x 8.01 mm
  • MTBF (小时)
    >3,000,000

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