PV230-M280 (M Key)
M.2
PV230-M280 (M Key)
- 支援LDPC ECC纠错与校正机制
- 全区平均抹写技术(Global Wear Leveling)
- 闪存坏区管理
- 端对端资料保护(End-to-End Data Protection)
- 闪存转换层: Page Mapping
- DataDefender™
- 支援TRIM指示
- Hyper Cache 缓存技术
- Over-provisioning
- DataRAID
- SMART Read Refresh
- NVMe安全抹除
探索 PV230-M280 – 稳定效能,更低功耗,随时待命
您的产业应用有稳定效能与低功耗需求吗?宇瞻PV230-M280将是理想储存方案。这款SSD完全符合PCIe Gen3 x4 和 NVMe 1.4 标准,在优化固态硬碟能耗的同时,也确保快速的资料处理。
其 M.2 2280 规格提供高产品灵活性,为具空间限制与有高可靠性需求的嵌入式系统或工业设备的理想储存解决方案。凭借SSD自身的高稳定性与可靠读写速度,PV230-M280 支援各种注重功耗与效能的产业应用,帮助系统保持低温、高效且随时待命。
宇瞻储存解决方案带来卓越效能:
- 提升电源效率:利用 3D NAND 技术与电源管理提供更好的电源效率。
- 高资料传输效能:内建ECC纠错与校正机制,提供卓越资料传输效率。
- 提升稳定性:Sidefill技术使固态硬碟在高振动和极端温度波动环境中能稳定运行。
- 提升安全性:配备进阶加密标准 (AES)与TCG Opal 2.0(选用),防止未经授权的存取。
配备先进的技术支援:
- 先进LDPC ECC引擎:提升固态硬碟耐用性和资料可靠性。
- 全区平均抹写技术:确保低抹除次数,以延长固态硬碟使用寿命。
- 快闪记忆体坏区管理:侦测快闪记忆体中故障区块,并预留备用区块,提高产品耐用度。
- 端对端资料保护:透过全面安全措施保护敏感资料。
- 支援其他技术:快闪记忆体转换层Page Mapping、DataDefender、支援TRIM指令、Hyper Cache快取技术、Over-provisioning、DataRAID、SMART Read Refresh、NVMe安全抹除和省电模式。
PV230-M280 具更高稳定性与效率,并增强资料保护力,为强固型应用、伺服器和网通、工厂自动化和运输等各种应用提供理想储存解决方案。
规格表
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型号PV230-M280
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介面PCIe Gen3 x4
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接口Single-sided M.2 2280-M
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板型M.2 2280
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NAND 颗粒3D TLC
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容量120GB-1920GB
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外置DRAMNo
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读取速度(MB/sec)Up to 3,560
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写入速度(MB/sec)Up to 2,705
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ECC纠错功能Low-Density Parity-Check (LDPC) Code
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IOPS (4K 随机写入)325K
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标准作业温度(°C)0 ~ 70
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最高作业温度(°C)-40 ~ 85
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放置温度(°C)-55 ~ 100
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外壳No
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温度感测功能Yes
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冲击耐力Operation: Acceleration, 50(G)/11(ms)/half sine (Compliant with MIL-STD-202G)
Non-operation: Acceleration, 1500(G)/0.5(ms)/half sine (Compliant with MIL-STD-883K) -
震动耐力Operation:7.69 GRMS, 20~2000 Hz/random (Compliant with MIL-STD-810G)
Non-operation:4.02 GRMS, 15~2000 Hz/random (Compliant with MIL-STD-810G) -
电压3.3V ±5%
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用电量Active Mode: 1,840 mA / Idle Mode: 200mA
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尺寸 (L x W x H )22.00 x 80.00 x 2.58 (max.)
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MTBF (小时)>3,000,000