PV230-M242 (M Key)
M.2
PV230-M242 (M Key)
- 支援LDPC ECC纠错与校正机制
- 全区平均抹写技术(Global Wear Leveling)
- 闪存坏区管理
- 端对端资料保护(End-to-End Data Protection)
- 闪存转换层: Page Mapping
- DataDefender™
- 支援TRIM指示
- Hyper Cache 缓存技术
- DataRAID
- Over-provisioning
- SMART Read Refresh
- NVMe安全抹除
PV230-M242(M Key)高效能提供流畅使用体验
进一步探索最佳运行储存解决方案
苦于系统经常性延迟与低资料传输效能造成系统运作效率低落?宇瞻 PV230-M242 满足现今产业应用对于效能的需求。完全符合 PCIe Gen3 x4 和 NVMe 1.4 标准,提供超低延迟与高速资料传输速度,确保系统保持在最佳效能下运作。
其精巧 M.2 2242 外观尺寸适用于受限空间大小的装置,使其成为嵌入式系统、工业 PC 和行动运算理想的储存解决方案选择。无论是针对高工作负载还是即时处理数据,PV230-M242 确保长期系统运作顺畅与稳定性—享受高效能带来的流畅使用体验。
宇瞻储存解决方案提供最佳体验:
- 提升电源效率:利用 3D NAND 技术提供相较 2D NAND 更高的固态硬碟效能。
- 高资料传输效能:内建ECC纠错与校正机制,提供卓越资料传输效率。
- 确保稳定性:Sidefill技术使固态硬碟在高振动和极端温度波动环境中能稳定运行。
- 提升安全性:配备进阶加密标准 (AES)与TCG Opal 2.0(选用),防止未经授权的存取。
配备先进的技术支援:
- 先进LDPC ECC引擎:提升固态硬碟耐用性和资料可靠性。
- 全区平均抹写技术:确保低抹除次数,以延长固态硬碟使用寿命。
- 快闪记忆体坏区管理:侦测快闪记忆体中故障区块,并预留备用区块,提高产品耐用度。
- 端对端资料保护:透过全面安全措施保护敏感资料。
- 支援其他技术:快闪记忆体转换层Page Mapping、DataDefender、支援TRIM指令、Hyper Cache快取技术、DataRAID、Over-provisioning、SMART Read Refresh、NVMe安全抹除和省电模式。
PV230-M242 拥有卓越效能、高稳定性及高电源效率,为伺服器、网通、工厂自动化和交通运输等各种应用的理想储存解决方案。
规格表
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型号PV230-M242
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介面PCIe Gen3 x4
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接口Single-sided: M.2 2242-M
Double-sided: M.2 2242-M -
板型M.2 2242
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NAND 颗粒3D TLC
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容量120GB-960GB
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外置DRAMNo
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读取速度(MB/sec)Up to 3560
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写入速度(MB/sec)Up to 2560
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ECC纠错功能Low-Density Parity-Check (LDPC) Code
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IOPS (4K 随机写入)325K
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标准作业温度(°C)0 ~ 70
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最高作业温度(°C)-40 ~ 85
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放置温度(°C)-55 ~ 100
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外壳No
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温度感测功能Yes
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冲击耐力Operation: Acceleration, 50(G)/11(ms)/half sine
(Compliant with MIL-STD-202G)
Non-operation: Acceleration, 1500(G)/0.5(ms)/half sine
(Compliant with MIL-STD-883K) -
震动耐力Operation:7.69 GRMS, 20~2000 Hz/random
(Compliant with MIL-STD-810G)
Non-operation:4.02 GRMS, 15~2000 Hz/random
(Compliant with MIL-STD-810G) -
电压3.3V ±5%
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用电量Active Mode: 1,280 mA / Idle Mode: 200mA
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尺寸 (L x W x H )Single-sided: 22.00 x 42.00 x 2.58 (max.)
Double-sided: 22.00 x 42.00 x 4.08 (max.) -
MTBF (小时)>3,000,000