CV120-SD
SD
CV120-SD
- 内建ECC错误侦测演算
- 全区平均抹写技术 (Global Wear Leveling)
- 闪存坏区管理
- 断电管理
- 快閃記憶體轉換層: Page Mapping
- 支持S.M.A.R.T
- 支持SMART Read Refresh™
稳定储存,灵活整合 — 认识 Apacer CV120-SD
Apacer CV120-SD SD 记忆卡专为半工业级与医疗应用所设计,提供稳定可靠的数据储存效能及灵活的系统整合能力。产品符合 SD 记忆卡协会(SD Memory Card Association)规范,确保稳定运作,并具备广泛的主机系统兼容性。结合低功耗设计、可靠的数据完整性防护及弹性的韧体客制化服务,CV120-SD 为特殊嵌入式系统提供灵活且可靠的储存解决方案。
- 高度系统兼容性: 采用 9-pin 接口,支持 SD 与 SPI 两种通讯模式,可灵活整合至各类兼容的主机平台。
- 强化数据可靠性: 内建错误侦测与修正机制,有助于维持数据正确性及稳定的储存效能。
- 弹性的储存配置: 依据 SD 安全规范,支持安全与非安全储存区域的容量配置,满足不同应用需求。
- 优化电源效率: 采用低功耗设计,符合嵌入式系统对能源效率的要求。
- 客制化韧体方案: 提供韧体客制化服务,可依据特定系统架构与应用需求进行调整。
Apacer CV120-SD 结合标准规范兼容性、灵活的系统整合能力及可靠的数据管理机制,适用于半工业级系统、医疗设备及各类嵌入式应用,为重视稳定储存效能与客制化功能的系统提供可靠的储存选择。
规格表
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型号CV120-SD
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介面SD 6.1
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板型SD
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NAND 颗粒3D TLC
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容量64GB~256GB
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读取速度(MB/sec)Up to 95
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写入速度(MB/sec)Up to 85
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ECC纠错功能Built-in advanced ECC algorithm
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IOPS (4K 随机写入)1000
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标准作业温度(°C)-25 ~ + 85
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最高作业温度(°C)-40 ~ + 85
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放置温度(°C)-40 ~ + 85
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硬件写保护Mechanical Write Protect Switch
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冲击耐力1,500G, 0.5ms
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震动耐力20Hz~80Hz/1.52mm (frequency/displacement)
80Hz~2,000Hz/20G (frequency/accelerate) -
电压2.7V ~ 3.6V
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用电量Operating (Max.): 125 mA
Standby: 185 µA -
尺寸 (L x W x H )24.00 x 32.00 x 2.10 (mm)
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MTBF (小时)>3,000,000