GraTherX DDR5 CSODIMM
GraTherX DDR5 CSODIMM
- 采用原厂高质量 DDR5 DRAM 颗粒
- 整合 Clock Driver(CKD)设计,提升高速讯号稳定性
- 支持 DDR5 On-die ECC 机制
- 262-pin DDR5 CSODIMM 标准架构
- 一体式双面热路架构,有效改善背面热堆积
- 石墨烯+铜复合导热材料,提升导热与热扩散效率
- 超薄设计,单面仅增加约 0.17 mm
- 专利绝缘封边设计,兼顾散热效能与电路安全
GraTherX DDR5 CSODIMM:更高稳定性.可靠的 Edge AI 运算效能
随着 DDR5 内存广泛应用于 Edge AI、工业计算机(IPC)、嵌入式系统等低风流、高热密度环境,内存模块容易产生热累积、背面热集中及散热不均等问题,进而影响系统长期运作的稳定性与可靠性。GraTherX DDR5 CSODIMM 是专为解决上述散热挑战所打造的模块级散热解决方案。
搭载高质量原厂 DDR5 DRAM IC,并整合 CKD 技术、TVS 瞬态电压抑制二极管防护及 DDR5 On-die ECC 错误修正机制,GraTherX DDR5 CSODIMM 可有效提升讯号稳定性、强化数据完整性,并确保在任务关键型应用环境下维持可靠运作。此外,更结合石墨烯-铜复合导热材料与一体式双面导热路径设计,在内存模块正反两面建立连续的导热通道。
此先进散热设计可有效提升热能传导、扩散与散热效率,降低局部热点形成,同时改善整体热分布均匀性。不同于传统散热方案仅针对局部热点降温,GraTherX DDR5 CSODIMM 能优化整个模块的热分布,有效降低背面热累积,让内存在长时间、高负载运作下仍能维持更均匀的工作温度。
提升无风扇系统 DRAM 散热效能,确保长期运作可靠性
在无风扇自然对流测试环境下,GraTherX DDR5 CSODIMM 可实现:
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模块最高温降低最高 20°C*
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模块正反面温差缩小至约 1°C 以内
透过更均匀的热分布,大幅提升内存散热效率,使 DRAM 平均故障间隔时间(MTBF)提升 2.7 倍,并将故障率(FIT)降低 60%,有效提升系统长期运作可靠性。
注:*实际效能可能因系统平台、模块配置、气流条件及测试环境不同而有所差异。
选择 GraTherX DDR5 CSODIMM 的三大优势
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降低 DDR5 散热风险: 有效缩小模块正反面温差,改善整体热分布,提升系统可靠性。
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提升长期运作稳定性: 透过更均匀的散热表现,降低过热风险,确保长时间高负载运作依然稳定可靠。
- 快速导入既有平台: 超薄设计,每侧仅增加约 0.17 mm 厚度,可直接导入既有系统,无须重新设计主板或额外加装散热风扇。
GraTherX DDR5 CSODIMM 兼具卓越散热效能与高度系统兼容性,不仅有效降低 DRAM 过热风险,更能提升系统长期可靠性,协助无风扇及工业运算平台快速完成散热升级,实现更稳定、更可靠的运作表现。
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型号GraTherX DDR5 CSODIMM
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模块类型CSODIMM
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内存技术DDR5
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速度6400/7200
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密度8GB/16GB/32GB/48GB/64GB
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电压1.1v
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针数262-Pin
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带宽64-Bit
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印刷电路板高度1.18"
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工作温度 (°C)TC=0℃ to 85℃
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全无铅电阻器Yes
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推荐应用Edge AI/ High-performance Embedded Platforms/ AI PCs/ Compact Computing Systems/ High-speed Industrial Computing Platforms/ High-bandwidth Computing Devices