DDR3 抗硫化 SODIMM
抗硫化 SODIMM
DDR3 抗硫化 SODIMM
- On-DIMM热传感器：无
- 封装：204PIN小型双列直插式内存（SO-DIMM）
- PCB：高度30.0mm，引脚间距0.6 mm（引脚），无铅（符合RoHS标准）
- 电源VDD：1.35V（+ 0.1V〜-0.067V）/ 1.5V（±0.075V）
- 八个并行运行的内部存储库（组件）
- 支持每个突发访问的自动预充电选项
- 支持自动刷新/自刷新
- 刷新周期：7.8 ㎲于0℃≤TC≤+ 85℃
- PCB：30μ金手指
- 抗硫化(Anti-Sulfuration)(Apacer专利)
- 涂层保护/底部填充 (可选)
简介
防硫化内存主要用于暴露在高度污染的环境中的设备，例如 汽车，军工，医疗，运输，网络和户外电子产品以及用于高浓度硫磺气体等的电子设备。火山，温泉和矿业。空气中含硫的颗粒可以容易地与电极中使用的银反应形成不导电的硫化银。 随着硫化物的增加，电阻值也会增加，最终导致断路。为了解决电阻器硫化的问题，宇瞻开发出了世界上第一个防硫化内存给高含硫的环境中使用，而这一创新设计现已获得专利。
- Conformal Coating / Underfill (optional)
规格表
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型号DDR3 Anti-Sulfuration SODIMM
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模块类型Anti-Sulfuration SODIMM
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内存技术DDR3
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速度1066/1333/1600
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密度2GB/4GB/8GB
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电压1.35v/1.5v
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针数204-Pin
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带宽64-Bit
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印刷电路板高度1.18"
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工作温度 (°C)TC=0℃ to 85℃
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增值技术Anti-Sulfuration / 30μ Gold Finger
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推荐应用Defense / Factory Automation / Healthcare / Internet of Things / Server & Networking / Transportation