DDR3 抗硫化 ECC UDIMM
抗硫化 ECC UDIMM
DDR3 抗硫化 ECC UDIMM
- 支持ECC纠错与修正
- On-DIMM热传感器：有
- 封装：240PIN双列直插式内存（ECC UDIMM）
- PCB：高度30.0 mm，间距1.0 mm（引脚）
- 八个并行运行的内部存储库（组件）
- 支持每个突发接入的自动预充电选项
- 支持自动刷新/自刷新
- 刷新周期：7.8㎲于0℃≦TC≤+ 85℃
- PCB：30μ金手指
- 抗硫化(Anti-Sulfuration)(Apacer专利)
- 涂层保护/底部填充 (可选)
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简介 |
抗硫化的内存模块主要应用于暴露在高污染环境中的设备，如车载、军事、医疗、运输、网通与户外电子产品等领域，以及使用于高浓度硫磺气体区域，如火山、温泉、与采矿区电子设备。
由于硫气体容易与电阻的端电极银材料化合产生硫化银、硫化银不导电，随着电阻被硫化，电阻的阻值逐渐增加，直至最后变成开路。为解决电阻硫化问题，宇瞻开发全球第一款适用于含硫环境的抗硫化内存模块，此创新研发设计亦已取得专利。
规格表
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型号DDR3 Anti-Sulfuration ECC UDIMM
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模块类型Anti-Sulfuration ECC UDIMM
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内存技术DDR3
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速度1066/1333/1600
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密度2GB/4GB/8GB
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电压1.35v/1.5v
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针数240-Pin
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带宽72-Bit
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印刷电路板高度1.18"
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工作温度 (°C)TC=0℃ to 85℃
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增值技术Anti-Sulfuration / Thermal Sensor / 30μ Gold Finger
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推荐应用Defense / Factory Automation / Healthcare / Internet of Things / Server & Networking / Transportation