Wide Temp. SODIMM

DDR Wide Temp. SODIMM

Wide Temp. SODIMM

DDR Wide Temp. SODIMM

  • Stromversorgungs-VDD: 2,6 V ±0,1 V(400 MHz)/2,5 V ±0,2 V(266/333 MHz)
  • MRS-Zyklus mit Adressschlüsselprogrammen
  • Datenverschlüsselung; sequenziell und verschachtelt
  • SSTL-2-Schnittstelle
  • Differenzieller Takteingang
  • Automatische Aktualisierungs- und Selbstaktualisierungsmodi 64 ms, 8192-Zyklus-Aktualisierung
  • Betriebstemperaturbereich: Industriell -40 °C ≦ TA ≦ 85 °C
  • Konforme Beschichtung/Underfill (optional)

Einleitung
Apacer Wide Temp SODIMM (SODIMM mit breitem Temperaturbereich) ist speziell für raue Klima- und spezielle Umweltbedingungen konzipiert. Da es Betriebstemperaturen von -40 °C bis 85 °C unterstützt, eignet es sich für Industrie-, Militär-, Luftfahrt- sowie Fahrzeugsysteme, die mit extrem anspruchsvollen Umgebungen konfrontiert sind. Neben dem Einsatz originaler industrietauglicher DRAM-ICs nutzen SODIMMs mit breitem Temperaturbereich auch passive Komponenten mit breiter Temperaturunterstützung in Industriequalität mit 30-μ-Gold-beschichteter Leiterplatte, um den Oxidationsschutz zu verbessern und eine stabile Signalübertragung zu gewährleisten. SODIMMs mit breitem Temperaturbereich haben zudem industrielle Verifizierungstests für hohe/niedrige Temperaturen und den strengsten 48-Stunden-Temperaturwechseltest bestanden, gewährleistet, dass sie stundenlang in extremen Umgebungen laufen können.

 

Der Missbrauch von kommerziellen ICs erhöht die Instabilität und das Risiko für Smart-Geräte, verringert die Produktlebensdauer und bewirkt möglicherweise Fehlfunktionen. Apacer besteht schon lange auf der Verwendung von Chips in Industriequalität von Originalherstellern in seinen Lösungen mit breitem Temperaturbereich. Mit einem industriellen IC mit breitem Temperaturbereich können die industrielle Speichermodule von Apacer einen stabilen Betrieb auch in rauen Umgebungen mit ständigen Temperaturschwankungen gewährleisten.

Spezifikationen
  • Modell
    Wide Temperature SODIMM
  • Speichertechnologie
    DDR
  • Geschwindigkeit
    266/333/400
  • Dichte
    512M/1GB
  • Spannung
    2.5v/2.6v
  • Pin-Anzahl
    200-Pin
  • Breite
    64-Bit
  • Leiterplattenhöhe
    1.25"
  • Betriebstemperatur (°C)
    TA=-40℃ to 85℃
  • Mehrwert-Technologie
    Wide Temperature / 30µ Gold Finger
  • Empfohlene Anwendung
    Defense / Factory Automation / Internet of Things / Transportation

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